中兴通讯申请射频发射通道的性能测试方法、基站及存储介质专利，极大地提高了射频发射通道的性能测试的便利性

　　据国家知识产权局公告，中兴通讯股份有限公司申请一项名为“射频发射通道的性能测试方法、基站及存储介质“，公开号CN117527099A，申请日期为2022年7月。

　　专利摘要显示，本发明实施例提供一种射频发射通道的性能测试方法、基站及存储介质，属于通信领域。该方法包括：在获取到射频发射通道的性能测试指令的情况下，通过反馈通道对射频发射通道发送的射频信号进行采样，得到多个数字采样信号；获取待测射频性能指标对应的信号处理策略；按照信号处理策略，对多个数字采样信号进行处理，得到信号处理结果，根据信号处理结果，计算待测射频性能指标的测试值。本发明实施例的技术方案极大地提高了射频发射通道的性能测试的便利性，也降低了射频发射通道的性能测试的所需的成本。