来源 :深交所互动易2024-04-09
irm122673536问振华科技(000733)你好，在功率半导体领域第三代半导体碳化硅和氮化镓，拥有比硅基功率半导体更好的性能，请问贵公司第三代半导体碳化硅衬底的MOSFET是否已实现量产？贵公司是否有另一种第三代半导体氮化镓衬底的器件？
2024-04-06 10:16:27
振华科技答irm122673536
您好，感谢您对公司的关注。公司已成功研制部分氮化镓衬底的功率器件-GaN HEMT，分别为低压100V系列和高压650V系列，目前处于用户试用阶段。
2024-04-09 23:33:35