横店东磁申请高耦合系数耦合电感及其制备方法专利，满足具有高耦合系数和低损耗的要求

　　2024年3月1日消息，据国家知识产权局公告，横店集团东磁股份有限公司申请一项名为“高耦合系数耦合电感及其制备方法“，公开号CN117637318A，申请日期为2022年8月。

　　专利摘要显示，本发明公开了一种高耦合系数耦合电感及其制备方法。高耦合系数耦合电感包括：磁体基座及嵌入磁体基座的电极组件，电极组件包括第一电极、第二电极、第三电极和第四电极。第一线圈，贴合于磁体基座并与电极组件背对设置，第一线圈的端部引线分别连接至第一电极和第二电极；与第一线圈磁耦合的第二线圈，第二线圈叠加于第一线圈，第二线圈的端部引线分别连接至第三电极和第四电极。封装壳体，包容第一线圈和第二线圈及部分磁体基座，第一电极、第二电极、第三电极和第四电极超出封装壳体的表面。第一线圈和第二线圈耦合连接，封装壳体将第一线圈、第二线圈及部分磁体基座包容，从而避免磁体基座的漏磁现象，满足具有高耦合系数和低损耗的要求。