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通富微电(002156)内幕信息消息披露
 
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通富微电:在存储器领域,公司多层堆叠NAND Flash及LPDDR封装实现稳定量产

http://www.chaguwang.cn  2022-12-21  通富微电内幕信息

来源 :界面新闻2022-12-21

  通富微电12月21日互动平台表示,在存储器领域,公司多层堆叠NAND Flash及LPDDR封装实现稳定量产,同时在国内首家完成基于TSV技术的3DS DRAM封装开发,助推公司进阶成为更有竞争力的存储器封装企业。2023年相关订单及盈利预期情况属于公司商业机密及内幕信息。

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