通富微电子申请异质芯片封装方法和结构专利，提升芯片性能

　　2024年11月22日消息，国家知识产权局信息显示，通富微电子股份有限公司申请一项名为“一种异质芯片封装方法和结构”的专利，公开号 CN 118983266 A，申请日期为2024年7月。

　　专利摘要显示，本公开的实施例提供一种异质芯片封装方法和结构，通过硅通孔、重布线层和塑封通孔分别实现了异质芯片的横向互连和芯片的纵向互连，在堆叠提升芯片性能的同时，保持了对位精度和稳定性，达成了全方位的高效数据流通。纵向单元之间以直径更大的塑封通孔对接焊盘，而双面布线的硅中介层实现了芯片的横纵方向高度集成设计，使得多颗芯片平铺在硅中介层的两侧，降低了对位精度要求，稳定性更高，实现了横纵方向全方位互连；无需进行大量的芯片级TSV工艺，可将制程先进的芯片拆解为多颗较低性能的芯片平铺在硅中介层的两侧，降低了成本；采用TMV直通的方式将层间的信号进行传输，再通过硅片和重布线层将信号输出至芯片，信号传输路径短，传输速率高。