国星光电：获Mini/Micro LED、第三代半导体等技术领域11项专利证书

　　国星光电1月10日公告，公司取得一种集成模块及功率器件等11项发明专利证书。其中6项涉及Mini/MicroLED技术领域专利，1项涉及第三代半导体技术领域专利。

　　涉及Mini/Micro LED技术领域的6项专利，其技术方案涉及封装胶工艺改善、线路板检测点设置、超高清显示模组结构设置、芯片精准转移等方面，通过以上技术方案可以提高超高清显示产品的集成度，优化及简化线路结构设计，提升制程及封装良率，形成成熟的封装技术路线，确保显示效果的一致性，提高产品的质量。

　　涉及第三代半导体领域的1项发明专利，该集成模块以器件组为最基本单元，可应用至半桥逆变式功率转换电路或全桥逆变功率转换电路中，具有良好的通用性，同时叠层设置能有效降低回路电流的路径，降低模块的寄生电感，提升集成模块使用场景。