来源 :拓墣产业研究2022-08-16
近日，晶盛机电宣布了两大突破：首颗8英寸N型SiC晶体成功出炉、与印度能源巨头Adani达成合作。
晶盛机电碳化硅迈进8英寸时代
近日，经过晶体实验室研发团队半年多的技术攻关，晶盛机电首颗8英寸N型SiC晶体成功出炉，这标志着晶盛机电第三代半导体材料SiC研发自此迈入8英寸时代。
SiC器件具有耐高温、耐高压、高频特性好、转化效率高、体积小和重量轻等优点，被广泛应用于新能源汽车、轨道交通、光伏、5G通讯等领域。但“高硬度、高脆性、低断裂韧性”的碳化硅，对生产工艺有着极其苛刻的要求，而大尺寸的碳化硅晶体制备一直是行业的“卡脖子”技术。
此次研发成功的8英寸SiC晶体，晶坯厚度25mm，直径214mm，是晶盛在大尺寸SiC晶体研发上取得的重大突破。
这不但成功解决了8英寸SiC晶体生长过程中温场不均、晶体开裂、气相原料分布等难点问题，同时还破解了SiC器件成本中衬底占比过高的难题，为大尺寸SiC衬底广泛应用打下基础。
助力Adani印度首个单晶硅片工厂
近日，晶盛机电与印度能源巨头Adani集团旗下太阳能光伏制造公司Adani Solar签署了设备采购订单协议，晶盛机电将为其提供2GW光伏单晶生长及加工等设备，并助力其建成印度首个单晶硅片工厂。
此次与印度公司合作是晶盛机电继土耳其、墨西哥、越南之后开辟的又一海外市场。今后，晶盛机电将继续以“先进材料、先进装备”为发展战略，持续打造半导体材料装备领先企业，不断加大领先优势，进一步开拓国际市场，与客户协作共赢，“奋斗为本、成就伙伴”，向更多国内外客户持续提供高品质设备及服务。