[路演]捷捷微电：已合作研发以SiC、GaN为代表的第三代半导体材料的半导体器件

　　捷捷微电（300623）2021年度业绩说明会于4月29日在全景路演举办。在线上交流活动中，在回答投资者提问时，公司董事长、法定代表人黄善兵表示，公司已与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表的第三代半导体材料的半导体器件，具有耐高压、耐高温、高速和高效等优点，可大幅降低电能变换中的能量损失，大幅减小和减轻电力电子变换装置，是当前新型电力电子器件的研发主流，其相关技术与产品在工业传动、军工、铁路、智能电网柔性输变电、消费电子、无线电力传输等领域，以及智能汽车及充电桩、太阳能发电、风力发电等新能源领域具有广阔的市场，宽禁带电力电子器件产品将是未来电力电子技术的重要价值增长点。