捷捷微电取得一种分离栅MOSFET器件结构及其制造方法专利，器件耐压性能更好

　　据国家知识产权局公告，江苏捷捷微电子股份有限公司取得一项名为“一种分离栅MOSFET器件结构及其制造方法“，授权公告号CN108767004B，申请日期为2018年8月。

　　专利摘要显示，本发明属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种分离栅MOSFET器件结构，包括有源区，有源区内包括若干个相互并联的器件元胞单元，器件元胞单元包括第一导电类型衬底及第一导电类型漂移区，在第一导电类型漂移区的上部设有第二导电类型阱区，在第二导电类型阱区间设有第一类型沟槽及位于第一类型沟槽两侧的第二类沟槽，且沟槽均从第一导电类型漂移区表面延伸到其内部，在第一类型沟槽内填充有分离栅多晶硅、厚氧化层及掩蔽氧化层，在第二类沟槽内填充有栅极多晶硅及栅氧化层，栅极多晶硅的内侧与厚氧化层邻接；本发明该器件的制作工艺简单，光刻次数少，成本较低，同时分离栅器件沟槽宽度和深度容易控制，器件耐压性能更好，且具有更低的导通电阻。