江丰电子申请碳碳化硅靶坯的前处理方法专利，显著提高了焊接强度

　　2024年4月3日消息，据国家知识产权局公告，宁波江丰电子材料股份有限公司申请一项名为“一种碳碳化硅靶坯的前处理方法“，公开号CN117802482A，申请日期为2024年1月。

　　专利摘要显示，本发明提供了一种碳碳化硅靶坯的前处理方法，所述前处理方法包括如下步骤：碳碳化硅靶坯依次进行除油清洗、干燥、喷砂处理与化学镀镍；所述喷砂处理后碳碳化硅靶坯的焊接面粗糙度为9?15μm。本发明提供的前处理方法，能够保证碳碳化硅靶坯的焊接面基本无浮粉，能够明显改善靶坯表面的掉粉现象，显著提高了焊接强度，使碳碳化硅靶坯与金属背板的焊接结合率≥97％，焊接强度≥5MPa，解决了碳碳化硅靶材在溅射过程中的脱焊问题。