来源 :深交所互动易2025-12-17
irm1347477问 国林科技 (300786)原子级制造目前主流的技术为原子层刻蚀ale和原子层沉积ald，而臭氧在ale和ald中均发挥了重要作用。公司作为国内半导体臭氧设备的领先企业，能否分别介绍一下臭氧在原子层刻蚀ale和原子层沉积ald的技术原理有何不同？
2025-11-28 11:27:36
国林科技 答irm1347477
尊敬的投资者，您好。二者核心差异是作用相反，且均依托自限性循环：臭氧在 ALD 中作氧前驱体，与 TMA 等反应沉积单原子层氧化物薄膜；在 ALE 中作氧化剂，氧化基底表面原子后剥离，实现单原子层刻蚀。感谢您的关注。
2025-12-17 08:40:11