英诺激光申请LED芯片专利，优化结构使制备过程更加高效便捷

　　2024年3月27日消息，据国家知识产权局公告，英诺激光科技股份有限公司申请一项名为“一种对称的LED芯片及其制备方法“，公开号CN117766658A，申请日期为2023年12月。

　　专利摘要显示，本发明公开了一种对称的LED芯片及其制备方法，涉及LED芯片技术领域。一种对称的LED芯片，包括内芯、绝缘层、N电极以及P电极；所述P电极贯穿内芯中间所设的通孔；所述N电极位于所述内芯外延两侧，对称设置；所述内芯与N电极之间，以及所述内芯与P电极之间还设置有绝缘层。本发明的对称的LED芯片通过对LED芯片结构进行优化、使其结构对称，N电极和P电极无论在正方或者倒放的情况下都能够进行共晶接触，没有方向性要求，制备过程更加高效便捷，且适用范围更广。