广立微申请版图评估专利，有利于发现或避开相应刻蚀工艺的缺陷

　　2024年1月11日消息，据国家知识产权局公告，杭州广立微电子股份有限公司申请一项名为“用于评估版图中目标栅极与图形集群相对位置关系的方法“，公开号CN117371395A，申请日期为2023年12月。

　　专利摘要显示，本发明公开了一种用于评估版图中目标栅极与图形集群相对位置关系的方法，包括以下步骤：S1.获取版图信息，找出所有目标栅极图形，找出所有目标刻蚀区域对应图形并定义为target层；S2.设定若干扩展距离，将target层在所有方向上按扩展距离依次进行扩展形成扩展距离target图形，扩展距离target图形为根据扩展距离扩展后新增图形区域的封闭图形；S3.获取目标栅极图形首次接触的扩展距离target图形所对应的扩展距离，根据获取到的扩展距离与上一组扩展距离，获得与target层的相对距离范围作为目标栅极图形与target层的距离区间；获得目标栅极与图形集群的相对位置关系。属于集成电路技术领域，兼顾相对位置关系评估中的距离范围和计算速度，有利于发现或避开相应刻蚀工艺的缺陷。