来源 :上证e互动2022-02-21
长电科技(600584)甬矽电子在自查报告中声称主要产品和技术系在公共知识的基础上自主研发和开发取得，公司如何看待甬矽电子的技术能力，是否为侵犯长电技术所得？
您好，公司认为甬矽主要产品研发和生产过程所涉及的技术存在侵犯长电科技知识产权或技术秘密的情形。基于半导体领域技术门槛高的特点，在投入研发人员有限的情况下甬矽的研发周期过短，不符合半导体封装产业的发展规律。首先由于封装材料、结构的不同和封装设备的更迭进步，如果完全没有不正当获取和使用原单位的技术，根本不可能凭借10年前的几篇文章中公开的特定实验品上的技术信息在短短几个月完成批量化生产12-14纳米技术的封装。一座封测工厂从建设、投产、客户试产/认证到规模化量产，需要2年左右，投入资金约200亿人民币，并非甬矽所称的6-11个月。另外甬矽电子的发展也高度依赖长电科技，甬矽的厂房、设备和软件等生产环节基础设施的构建都有大量长电前员工的参与。证据显示，甬矽电子超薄QFN、28nm制程铜线键合技术、大颗FCBGA倒装等封装工艺的研发完成时间与长电科技上述工艺的完成验证量产时间基本一致或稍滞后于长电科技，正是大批技术人员陆续离开长电加入甬矽的时间。甬矽电子未排除主营产品存在侵犯长电科技在先专利的可能。更为不合理的是，根据其披露的数据，甬矽电子能在成立初期，在极短的时间内以平均每个人员同时研发大约5-6个项目的速度短期快速量产并盈利，足以说明甬矽有大量使用长电技术秘密的风险。公司已向上交所等相关机构就甬矽的自查报告中的不实内容递交详细回复，并发起进一步法律行动。谢谢！