江苏长电科技股份参与攻关的“高密度高可靠电子封装关键技术及成套工艺”技术荣获国家科学技术进步一等奖

　　2021 年 11 月 3 日，在 2020 年度国家科学技术奖励大会上，华进半导体封装先导技术研发中心、江苏长电科技股份、无锡微电子科研中心参与的“高密度高可靠电子封装关键技术及成套工艺”荣获国家科技进步一等奖。该技术针对高密度芯片封装翘曲和异质界面开裂导致的低成品率，提出了芯片－封装结构及工艺多场多尺度协同设计方法，还针对 5G 通信等领域芯片研制自主可控需求，攻克了晶圆级硅基埋入扇出封装等成套工艺，率先突破 7nm-9 芯片－ 64 核 CPU 芯片封装核心技术。

　　当前，集成电路已成为国家战略科技力量中不可或缺的组成部分。此次“高密度高可靠电子封装关键技术及成套工艺”项目获评“国家科学技术进步一等奖”，充分体现了国家对于集成电路封装测试技术研发与应用的重视。