环旭电子突破SiC功率半导体封装技术

　　2026年5月27日，环旭电子宣布在新世代功率解决方案领域取得关键技术突破。该公司成功将碳化硅（SiC）晶粒预埋于多层ABF基板，并采用单面铜裸露（SSC）模块封装技术，首次实现陶瓷绝缘基板与无线键合工艺在标准功率封装体中的集成。该技术可提升功率密度与散热效率，助力汽车及工业领域加速电气化升级。环旭电子同步提供从设计到量产的汽车动力系统一站式服务。相关成果将于2026年6月9日至11日在德国纽伦堡PCIM Europe展会上展示。 免责声明：本文内容由开放的智能模型自动生成，仅供参考。