来源 :金融界2024-03-12
金融界2024年3月12日消息，据国家知识产权局公告，上海韦尔半导体股份有限公司申请一项名为“一种快恢复二极管的制备工艺及快恢复二极管“，公开号CN117690782A，申请日期为2022年9月。
专利摘要显示，本申请实施例提供了一种快恢复二极管的制备工艺及快恢复二极管，通过采用硅局部氧化隔离(LOCOS)工艺实现有源区第三注入区和第二注入区浓度的分区控制从而实现部分区域低浓度第三注入区与金属形成肖特基接触，高浓度第二注入区与金属形成欧姆接触，进而实现带肖特基结构的快恢复二极管。同时由于采用硅局部氧化隔离(LOCOS)工艺实现分区域厚氧化层的实现，同时由于采用热氧化工艺，在形成厚氧化层的区域同时会消耗晶圆的硅，后续在有源区厚氧化层去除干净后氧化层后实现晶圆上表面的高低差，在陷下的晶圆上表面只需要低能量的离子注入就可以实现更深的PN结从而实现SSD(Static shielding diode)结构的快恢复二极管，提高二极管的快恢复能力。