博敏电子：AMB陶瓷衬板的工艺和材料特性更能满足SiC功率半导体高散热、高可靠性等性能参数

　　博敏电子(603936)请教董秘，为啥说AMB陶瓷衬板为SIC功率器件模块封装首选材料？AMB陶瓷衬板相比其他衬板有哪些优点？

　　尊敬的投资者，您好！主要是AMB陶瓷衬板的工艺和材料特性更能满足SiC功率半导体高散热、高可靠性等性能参数要求。AMB（ActiveMetalBonding）工艺技术，是在800℃左右的高温下，含有活性元素Ti、Zr的AgCu焊料在陶瓷和金属的界面润湿并反应，从而实现陶瓷与金属异质键合的一种工艺技术；功率半导体芯片如何散热对于功率模块性能非常重要；目前国内的IGBT模块大部分还是采用DBC工艺技术的陶瓷基板，而随着工作电压、性能要求的不断提升，DBC难以满足SiC功率半导体高散热、高可靠性要求，但AMB工艺技术的陶瓷基板能更好地解决上述的痛点；对比DBC，AMB有更好的导热性、耐热性、耐冲击。同时，AMB氮化硅陶瓷基板与第三代半导体衬底SiC晶体材料的热膨胀系数更为接近，匹配更稳定，是第三代半导体功率器件的首选。以上仅供参考，感谢关注。