来源 :无锡新洁能股份有限公司2024-07-12
展会速递
2024年7月8日-10日，上海慕尼黑电子展在新国际博览中心隆重举办。新洁能作为国内头部功率半导体设计公司，全面展示了车规级功率器件、IGBT、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET、沟槽型功率MOSFET、碳化硅功率MOSFET、氮化镓功率HEMT、功率模块、栅极驱动IC、电源管理IC十大产品平台的前沿产品及应用解决方案。子公司金兰半导体及国硅集成最新的功率模块、功率IC产品也一同亮相，吸引了国内外数千位专业观众前来参观洽谈。
现场盛况
此次慕展，新洁能展出了最新的第三代屏蔽栅沟槽型 MOSFET、第七代IGBT、三代半导体系列产品，此外，对汽车电子、算力电源、光伏储能的应用解决方案进行了重点展示。
相比于上一代产品，第三代SGT MOSFET产品特征导通电阻降低20%以上，ESD能力、大电流关断能力、短路能力提升10%以上，同时具有更优的EMI特性，配合先进的封装技术，确保在苛刻环境下开关过程中的抗冲击耐量，实现快速、平稳、高效的单元管理和电机控制。
新洁能第七代IGBT系列产品通过优化载流子存储设计，增加多梯度缓冲层设计、超薄漂移区工艺技术，更大幅度提升器件的电流密度，具有超低饱和压降、卓越的开关损耗折中特性、优良的开关特性。Gen.7 IGBT系列产品不仅能通过JEDEC标准中的常规可靠性项目，也可通过HV-H3TRB等更高要求的可靠性项目，满足实际应用中同时具备高温、高湿、高压的严苛应用要求。此外，Gen.7 IGBT率先推出了全球领先的超大电流IGBT单管系列产品，如650V/750V100A-200A系列、1200V100A-160A系列等，为提升系统功率密度和降低系统成本提供了更多选择。
第三代半导体是公司前瞻布局的战略方向之一，新洁能SiC MOSFET系列拥有650V-1200V 五十余款产品，具有导通电阻低、开关损耗小、易于驱动、高温特性好、抗雪崩和短路能力强等优势，可广泛应用于新能源汽车、太阳能逆变器、充电桩、服务器电源等领域。
金兰半导体此次展出近二十款基于650V、1000V、1200V平台的功率模块产品，使用新洁能第七代微沟槽场截止技术的 IGBT 芯片，可应用于100KW-320KW光伏储能/光伏逆变领域、工业变频、汽车电子。目前公司已建成1000㎡净化间，产能达70万只/年，二期计划20000㎡厂房，计划产能400万只/年，将于年底竣工，持续为客户提供优质良好的技术服务和高性价比的产品。
国硅集成拥有栅极驱动、马达驱动、音频功效、智能功率开关、电源管理五大产品矩阵近两百款产品，专注于汽车电子、光伏储能、数据中心、工控家电四大市场，自主研发体系完整并掌握多项国内领先的关键核心技术。
感谢各位客户的关注与支持，我们将在新能源汽车及充电桩、光伏储能、算力服务器和数据中心、工业自动化、智能家居、5G通讯等各种热门领域将为您提供最优解决方案，性能强、质量优、品类广的产品可满足您一站式采购需求。