来源 :无锡新洁能股份有限公司2025-04-29
超结MOS采用垂直结构设计，在漂移区内交替排列垂直的P型柱区和N型柱区，形成“超级结”单元，通过电荷补偿技术突破传统功率半导体“硅极限”的高压器件，其核心设计通过优化电场分布实现低导通电阻与高击穿电压的平衡。另超结MOSFET具有更低的导通电阻和更优化的电荷分布，因此其开关速度通常比普通MOSFET更快，有助于减少电路中的开关损耗。由于其出色的高压性能和能效比，超结MOSFET更适合于高压、大功率的应用场景。
新洁能Gen.4在原有超结MOSFET技术的基础上，通过进一步技术升级，提升器件的结构密度，降低特征导通电阻；提升器件的功率密度，在相同体积下可以大幅提升器件电流能力，另导通电阻温度特性等方面均有明显提升。
Gen.4超结MOSFET（Super Junction MOSFET IV）最新推出800V and 900V 系列产品，800V 新增带快速恢复二极管系列产品。
相同规格产品高温下Rdson倍数值对比：Gen4相比Gen3 减小16%；Gen4和国际I 产品达到相同水平。
FOM 对比: Gen4 相比Gen3 and 国际I 产品降低25%。