新洁能第三代40V SGT-MOS：定义中低压功率器件新标杆

　　作为国内MOSFET功率器件研发的先行者之一，新洁能始终致力于功率半导体核心技术的突破，其研发团队持续创新，正式推出第三代SGT产品Gen.3 SGT MOSFET，电压涵盖25-150V系列产品，构建全场景解决方案。其中40V Gen.3 SGT MOSFET系列凭借革命性的性能升级，为消费级、工业级以及车规级应用领域树立新标杆。

　　新洁能40V Gen.3 SGT MOSFET系列产品采用国际先进屏蔽栅沟槽工艺技术，芯片具有超高集成度，全面提升了器件的开关特性和导通特性，其特征比导通电阻Rsp（导通电阻Ron*芯片面积AA）相比上一代产品降低33%，品质因子FOM（导通电阻Ron*栅极总电荷Qg）降低31%，具备更高的电流密度、功率密度和鲁棒性。并且三代40V SGT-MOS通过三维沟槽结构创新与低阻晶圆工艺技术升级，提高全温度区间Ron稳定性，突破传统导通损耗与散热的极限平衡。以同面积的MOS芯片相比，Gen.3在150℃结温下Ron增量较Gen.1 减少16%，在保持超低Ron的同时，实现温升效率行业领先，有效解决高温场景下的效率衰减难题，助力系统小型化与长期可靠性，重构中低压功率器件的热管理能力。

　　

　　NCE世代产品与最优竞品Rsp性能对比

　　

　　NCE世代产品Ron温升性能对比

　　全系产品分为高VTH和低VTH 2个细分方向，提供不同档位RDS(ON)产品供客户挑选，灵活匹配不同的应用领域，如电机驱动、锂电池保护、同步整流、新能源汽车和AI算力等。同时全系产品包含DFN5*6、DFN5*6-DSC、DFN3*3、DFN3*3-DSC、sTOLL、TOLL、TOLT、TO-220、TO-263等封装形式，能够提供更灵活的交期与本地化服务。40V产品系列丰富，本文优先推荐DFN5*6、DFN5*6-DSC、sTOLL、TOLL封装重点产品型号。

　　

　　产品型号

　　

　　

　　产品特点

　　◆超低特征导通电阻Rsp（导通电阻Ron*芯片面积AA）

　　◆极优品质因子FOM（导通电阻Ron*栅极总电荷Qg）

　　◆更小阈值电压Vth Range，利于并联应用

　　◆更优温升效率，有效解决高温场景下的效率衰减难题

　　◆极高功率密度

　　◆更优抗振荡能力

　　◆更强鲁棒性

　　◆更齐全的封装形式

　　◆更齐全的电阻、电流型号规格

　　

　　应用领域

　　◆新能源汽车

　　◆ AI算力

　　◆通信服务器

　　◆不间断电源UPS

　　◆锂电池保护

　　◆电动工具

　　◆无人机

　　◆适配器

　　

　　命名规则

　　

　　新洁能40V Gen.3 SGT MOSFET以“更优设计、更高效率、更高品质”为核心竞争力，重新定义中低压功率器件技术边界。欢迎访问新洁能官网获取免费样品及相关选型指南，或联系销售及技术支持团队获取定制化选型方案。让我们携手推进功率电子系统的效率革命！