澜起科技：DDR5下游渗透率提升，子代迭代持续推进，预计第三季度出货量将超过DDR4

　　10月16日消息，澜起科技披露投资者关系活动记录表显示，公司DDR5下游渗透率提升，DDR5子代迭代持续推进。预计DDR5内存接口芯片出货量将在今年第三季度超过DDR4内存接口芯片。同时公司提到，今年为行业规模试用成年的公司CKD芯片和MRCD/MDB芯片尚未开始在下游规模应用，预计从明年开始在下游规模应用。而在时钟芯片方面，公司已经推出首批可编程时钟发生器芯片系列产品，主要针对存储、算力芯片、交换机等应用场景对高性能时钟的需求。公司正在准备时钟芯片的量产，同时已经启动时钟缓冲芯片的研发，以进一步完善时钟芯片的产品布局。