来源 :上证e互动2023-06-16
中微公司(688012)公司开发的CVD钨设备，是否结合化学气相沉积CVD和原子层沉积ALD技术而成，用于先进的钨金属化工艺中高保形薄膜沉积，适用于3DNAND和DRAM存储？
您好，公司自主研发的LPCVD设备PreformaUniflex?CW，配备了拥有自主知识产权的优化混气方案及加热台,具有优秀的薄膜均一性、填充能力和工艺调节灵活性，对于弯曲度较大的晶圆，它也具备良好的工艺处理能力。并且其优异的阶梯覆盖率和填充能力，可以满足先进逻辑器件、DRAM和3DNAND中接触孔以及金属钨线的填充应用需求。谢谢您的关注。