来源 :华金证券2023-08-31
华金证券孙远峰/王海维
投资要点
2023 年8 月24 日，公司发布2023 年半年度业绩报告。2023 年H1 公司营业收入为25.27 亿元，同比上升28.13%，归母净利润为10.03 亿元，同比上升114.40%；毛利率为45.89%，净利率为39.67%。
营收三大业务同比均有增长，出售拓荆科技股份获得4 亿税后净收益。营收方面：
（1）刻蚀设备：公司刻蚀设备在国内外持续获得更多客户认可，市场占有率不断提高。在国际最先进5nm 芯片生产线及下一代更先进生产线上，公司CCP 刻蚀设备实现多次批量销售，已有超过200 台反应台在生产线合格运转。公司ICP 刻蚀设备不断地核准更多刻蚀应用，迅速扩大市场并不断收到领先客户批量订单。
2023H1 刻蚀设备收入为17.22 亿元，同比增长32.53%，毛利率达46.16%。（2）MOCVD 设备：MOCVD 设备在新一代Mini-LED 产业化中，在蓝绿光LED 生产线上继续保持绝对领先地位，2023H1，MOCVD 设备收入2.99 亿元，同比增长24.11%，毛利率达到37.90%。（3）备品备件及服务收入增长约17.13%，达5.05亿元。净利润方面：2023H1，公司实现归母净利润10.03 亿元，同比增长114.40%，主要系本期收入和毛利增长下扣除非净利润较上年同期增加，及公司于2023 年上半年出售部分持有拓荆科技股票，产生税后净收益4.06 亿元（非经常性收益）。
持续高水平研发投入+提前布局产业发展，加深公司产品技术护城河。2023 年上半年度，公司研发支出共计4.60 亿元，政府补助抵减研发费用0.30 亿元，研究开发支出净额为4.30 亿元。截至2023 年6 月30 日，公司已申请2,359 项专利，其中发明专利1,991 项；已获授权专利1,425 项，其中发明专利1,202 项。（1）刻蚀设备技术：在逻辑芯片制造方面，公司开发12 英寸高端刻蚀设备持续获得国际国内知名客户订单，已在从65nm-5nm 各个技术结点量产。目前，公司着力改进刻蚀设备性能以满足5nm 技术以下若干关键步骤加工要求，且已经获得重复订单并付运。在存储芯片制造环节，公司等离子体刻蚀设备已大量用于先进三维闪存和动态随机存储器件量产。公司致力于提供超高深宽比掩膜（≥40:1）和超高深宽比介质刻蚀（≥60:1）的全套解决方案，相应开发配备超低频偏压射频ICP 刻蚀机用于超高深宽比掩膜刻蚀，并开发配备超低频高功率偏压射频CCP 刻蚀机用于超高深宽比介质刻蚀，这两种设备都已经开展现场验证且进展顺利。（2）MOCVD 设备技术：
公司用于蓝光LED 的Prismo A7?设备已在全球氮化镓基LED MOCVD 市场中占据领先地位；用于制造深紫外光LED 的高温MOCVD 设备Prismo HiT3?，已在行业领先客户端用于深紫外LED 生产验证并获得重复订单；用于Mini-LED 生产的MOCVD 设备Prismo UniMax?已在领先客户端大规模量产；用于硅基氮化镓功率器件用MOCVD 设备Prismo PD5?已在客户生产线上验证通过并获得重复订单；用于碳化硅功率器件外延生产的设备正在开发中，即将开展样机在客户端的验证测试。（3）薄膜沉积设备技术：公司已在短时间内实现多种LPCVD 设备研发交付及ALD 设备（原子层沉积）重大突破，多款新产品研发项目在快速推进。（4）布局光学检测设备：芯片加工通常需要十大类设备，其中刻蚀设备、薄膜沉积、光 刻、检测设备是产线中总价值量最高四类半导体设备，中微已全面覆盖刻蚀设备及部分薄膜沉积设备，并通过投资布局光学检测设备。
持续优化营销和服务网络+建立全球化采购体系，提升公司外部竞争力。销售端，设备制造商售后服务关系到设备能否在客户生产线上正常、稳定地运行。公司凭借在刻蚀设备及MOCVD 设备领域技术和服务优势，产品已成功进入海内外半导体及LED 制造企业，形成较强客户资源优势。随着半导体和LED 制造环节向亚洲转移，相较于国际竞争对手，公司在地域上更接近主流客户，能提供快捷的技术支持和客户维护。供应链端，公司建立全球化采购体系，与全球约40 家供应商建立稳定合作关系。同时，注重零部件本土化，在国内培育众多本土零部件供应企业，有力地保障公司产品零部件供应和服务水平持续提升。
投资建议：我们维持盈利预测，预计公司2023 年至2025 年营业收入分别为61.72/80.07/99.03 亿元，增速分别为30.2%/29.7%/23.7%；归母净利润分别为14.35/18.15/21.73 亿元，增速分别为22.7%/26.5%/19.7%；对应PE 分别56.2/44.5/37.1。考虑到中微公司在国内刻蚀设备领域龙头地位及其四大产品性能与性价比等方面进入全球三强，维持买入-A 建议。
风险提示：下游客户扩产不及预期的风险；国际贸易摩擦进一步冲击半导体器件供应链风险；海外拓客进展不及预期；产品研发不及预期。