中微公司参加第十八届全国MOCVD学术会议

　　近日，第十八届全国MOCVD学术会议于湖北恩施成功落下帷幕。中微公司MOCVD技术团队受邀出席了此次盛会并在《材料生长、表征与装备》技术论坛发表主题演讲，和MOCVD领域的学界泰斗与产业先锋们共话产业发展的未来趋势。

　　

　　

　　中微公司参会人员合影

　　自1989年首届召开以来，全国MOCVD学术会议每两年一届，见证了中国MOCVD技术与化合物半导体材料研究从萌芽到繁盛的辉煌历程。本次会议在湖北恩施举办，议题广泛，涵盖了MOCVD生长机理与外延技术、MOCVD设备（整机/部件/配件/原材料）、材料结构与物性、光电子器件、电力电子器件、微波射频器件、LED智能照明与物联网、半导体激光器、光伏/光探测器、可见光通信技术等领域，有力促进了产业链上下游的深度融合与协同发展。

　　中微公司MOCVD工艺技术高级总监胡建正博士受邀在《材料生长、表征与装备》技术论坛作了题为《采用PRISMO HiT3? MOCVD进行紫外LED的外延生长优化》的技术分享。演讲直击UV LED技术的核心挑战，揭示了与蓝绿光LED相比，紫外领域尚待跨越的效率与寿命鸿沟，并展示了中微公司的创新解决方案，引起在场嘉宾的广泛关注。

　　胡建正博士深入剖析了中微公司PRISMO HiT3? MOCVD系统在外延工艺上的精妙运用，通过精密调控衬底图案、优化缓冲层策略与载气流速，实现了位错密度低至7x108cm-2的高质量AlN晶体，为高性能紫外LED奠定了坚实基础。此外，PRISMO HiT3?采用渐变铝组分超晶格策略与先进镁掺杂技术，有效调控应力与提升掺杂效率，加之精心设计的多量子阱结构，减少了极化效应，使电子与空穴注入效率显著增强，275nm深紫外LED的光输出功率跃升20%。

　　胡建正博士做技术分享

　　面向未来，中微公司将坚持贯彻“三维发展战略”，持续践行和倡导“四个十大”的企业文化，矢志不渝追求技术创新，与业界伙伴紧密合作，共谋MOCVD产业的璀璨明天。