来源 :中微公司2024-11-21
近日，第十届国际第三代半导体论坛（IFWS2024）与第二十一届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2024）在苏州国际博览中心圆满闭幕。中微公司MOCVD技术团队受邀参会，并在《碳化硅衬底、外延生长及其相关设备》专题会议上发表主题演讲，与全球业界精英共同探讨行业发展趋势和技术革新。
中微公司参会人员合影
论坛开幕式上，中微公司因其卓越的产品和服务赢得了行业内外的一致好评，荣膺由两大论坛联合颁发的“材料生长设备年度推荐品牌”奖，再次彰显了公司在材料生长设备领域的竞争优势。
中微公司荣膺“材料生长设备年度推荐品牌”奖
本届论坛以“低碳智联·同芯共赢”为主题，汇集了国内外百余位院士及知名专家学者、超200位报告嘉宾，在近30场活动中分享前沿主题报告，共谋行业发展。中微公司主任工艺工程师陈丹莹博士受邀在碳化硅衬底、外延生长及其相关设备技术分会作了题为《中微公司PRISMO PDS8?–用于SiC功率器件外延生长的CVD设备》的技术报告，演讲引起在场嘉宾的广泛关注。
陈丹莹博士作技术分享
陈丹莹博士深入解析了碳化硅（SiC）作为一种高性能宽带隙半导体材料的应用潜力，指出它在功率器件、太阳能逆变器以及电动汽车等高需求领域的重要作用。近年来，碳化硅功率器件的市场正在迅速扩大，因此对更大直径、更高质量的外延层的需求也变得越来越迫切。
中微公司最新开发的可用于SiC外延生长的CVD平台——PRISMO PDS8?，能够兼容6和8英寸SiC衬底进行同质外延。结合数值模拟和实验研究证明，气相传输和反应前驱体的寄生沉积会导致晶圆表面上方气相组分的重新分布。有效C/Si比，即晶圆表面上方碳原子对硅原子的摩尔比，对外延长速、氮掺杂效率及其均匀性有显著影响。通过优化工艺，在6英寸4H-SiC衬底上外延生长得到高长速、高厚度及掺杂浓度均匀性、表面光滑及低缺陷密度的外延层：生长速率 50μm/h，厚度和掺杂浓度不均匀性分别为1.03%和0.73%。
此外，PRISMO PDS8?同样能够在8英寸SiC衬底上生长高质量外延层，其厚度和掺杂浓度不均匀性分别能够控制在 1.5%和 3%。使用氨气代替氮气作为N型掺杂源能够进一步提升炉与炉的重复性。在此基础上，成功实现了厚度超过50μm的SiC外延层在8英寸衬底上的快速外延生长，获得了低缺陷密度外延层，其厚度和浓度均匀性与13μm外延层的水平相当。
展望未来，中微公司将继续瞄准世界科技前沿，坚持三维发展战略，持续践行“四个十大”的企业文化，携手行业上下游的行业伙伴，实现高速、稳定、健康和安全的高质量发展，力争尽早在规模上和竞争力上成为国际一流的半导体设备公司！
关于中微半导体设备（上海）股份有限公司
中微半导体设备（上海）股份有限公司（证券简称：中微公司，证券代码：688012）致力于为全球集成电路和LED芯片制造商提供领先的加工设备和工艺技术解决方案。中微公司开发的等离子体刻蚀设备和化学薄膜设备是制造各种微观器件的关键设备，可加工微米级和纳米级的各种器件。这些微观器件是现代数码产业的基础，它们正在改变人类的生产方式和生活方式。中微公司的等离子体刻蚀设备和薄膜设备持续获得市场认可，已成为诸多领先客户的优选设备，用于LED和功率器件外延片生产的MOCVD设备在客户生产线占据优势地位。