纳芯微发布1200V系列碳化硅二极管

　　中国证券报记者7月10日从纳芯微官方微信号获悉，公司近期全新推出1200V系列SiC（碳化硅）二极管产品，该系列产品专为光伏、储能、充电等工业场景而设计，其在单相或三相PFC、隔离或非隔离型DC-DC电路中均展现出较好的效率特性，能够满足中高压系统的需求。

　　据介绍，SiC作为第三代宽禁带半导体材料，相较于硅具有更大的介电击穿强度、更快的饱和电子漂移速度和更高的热导率。这使得碳化硅在功率半导体器件方面表现出高耐压、高速开关、低导通电压和高效率等特性，从而降低了能耗并缩小了系统尺寸。

　　纳芯微表示，除了SiC二极管产品外，公司还在积极研发和验证1200V SiC MOSFET产品，并将于近期推出。该产品将经过全面的车规级验证，以确保符合汽车级应用的要求。