来源 :微导纳米2026-06-16
2026原子级制造创新发展大会
近日，2026原子级制造创新发展大会在吉林省长春市盛大开幕。原子级制造是未来产业的战略制高点，江苏微导纳米科技股份有限公司（简称：微导纳米，股票代码：688147.SH）作为国内ALD技术领军者和原子级制造创新发展联盟副理事长单位，携多款原子层沉积设备重磅亮相展会，以原子级精度的沉积技术，向业界展示中国高端微纳装备的创新实力。
01
半导体ALD设备：国产替代的开拓者
随着半导体器件结构的复杂化和微型化对薄膜沉积提出了原子级的精度要求。ALD技术凭借其三维共形性、大面积成膜均匀性和精确膜厚控制的优异特性，是满足这些要求的关键技术。
公司开发的国内首台成功应用于前道生产线的量产型High-k ALD设备，解决了国内集成电路突破28nm制程节点关键工艺难题——高介电常数（High-K）栅氧层薄膜工艺。产品已涵盖行业所需主流ALD薄膜材料及工艺，在国产ALD设备市场占有率处于领先地位，凭借全场景产品矩阵与规模化量产能力，为国内晶圆厂产能扩张、工艺自主提供关键装备保障，以技术赋能国内半导体产业链自主可控发展。
iTomic?HiK系列原子层沉积系统
公司开发的iTomic? MeT系列原子层沉积系统，适用于栅极金属、MIM金属电极、扩散阻挡层等关键工艺。在保证工艺中原子级别的膜厚精确控制和高薄膜均匀性的同时，可配备Degas反应腔，为逻辑芯片、存储芯片及先进封装的金属化等关键工艺提供解决方案。
该设备通过技术迭代，解决了TiN薄膜在高深宽比结构中台阶覆盖率低的问题，设备性能达到国际同行标准，不仅打破了国际设备商垄断，更实现了规模化量产，填补了国内相关设备在存储头部企业规模化应用的空白。
iTomic?MeT系列原子层沉积系统
公司全新推出的iTomic?SPX 系列空间型原子层沉积系统，区别于传统炉管ALD和时序式单片ALD，兼顾了量产产能与薄膜质量。面向3D NAND/DRAM High-K介电薄膜沉积，可为存储器件提供有效工艺技术方案。该空间ALD 设备，具备原子级别的精确控制、薄膜覆盖率和超薄膜厚的均匀性等特点，技术和设备指标达到国内一流水平，成功实现了国产化替代。
iTomic?SPX系列空间型原子层沉积系统
02
新能源及新兴领域ALD设备：技术创新的领军者和先行者
在新能源领域，公司是率先将ALD技术规模化应用于光伏领域的企业，通过持续技术创新助力光伏产业降本增效，以高端装备推动清洁能源普及。
在固态电池领域，ALD技术可用于电解质薄膜制备、界面缓冲层构筑和锂金属负极保护，从而有效提升库伦效率与循环稳定性。
在微显示领域，ALD技术凭借原子级的厚度控制精度与优异的薄膜均匀性，可满足硅基OLED器件中钝化层、封装层等关键薄膜的沉积需求。
03
展望未来：以原子级制造赋能产业升级
随着十五五规划纲要的战略部署和国家对原子级制造产业的大力推动，微导纳米正迎来前所未有的发展机遇。公司将以国家相关政策为导向，不断加大科技创新力度，与高校、科研院所等各方共同携手，推动构建产学研深度融合的协同创新格局，持续拓展原子层沉积技术在更多新兴领域的产业化应用。