来源 :上证e互动2023-12-04
时代电气(688187)贵司碳化硅SiC沟槽栅MOSFET关键的沟槽结构技术、沟槽刻蚀技术和沟槽栅氧技术的研究进展如何？对未来新型沟槽技术发展趋势进行展望。以株洲中车时代半导体有限公司为代表，开发了周期性栅氧电场屏蔽技术，在三维方向形成对栅氧化层直接与间接的屏蔽[106]，实现了3.0mΩ?cm2的比导通电阻、1400V的阻断电压芯片样品的制备，未来该产品前景展望一下。
尊敬的投资者您好！我们当前量产产品的技术还是基于平面栅技术的发展和升级，已达到当前市场主流水平。