来源 :上证e互动2022-09-14
天岳先进(688234)董秘你好！在第三代半导体领域，随着5G通讯、新能源汽车和充电桩等市场加速，进一步推动IGBT、SiC、GaN等功率器件的需求。ALD技术的金属氧化物、氮化物薄膜可作为栅氧层、钝化层和过渡层等，起到更好的器件漏电抑制、阻水阻氧效果。请问贵司第三代半导体碳化硅、氮化镓器件生产中是否采用ALD镀膜沉积制程？贵司是否已经掌握ALD或者CVD关键技术及设备制造？
尊敬的投资者，您好！公司自成立以来，专注于碳化硅衬底的制备技术，经过十余年的技术发展，已自主研发出2-6英寸半绝缘型及导电型碳化硅衬底制备技术，系统地掌握了碳化硅单晶设备的设计和制造技术、热场仿真设计技术、高纯度碳化硅粉料合成技术、不同尺寸碳化硅单晶生长的缺陷控制和电学性能控制技术、不同尺寸碳化硅衬底的切割、研磨、抛光和清洗等关键技术。公司的战略一直是聚焦碳化硅衬底，把衬底做好做精是一件非常不容易的事情，而且衬底的市场需求量足够大，公司将坚持聚焦战略，努力把衬底进一步做好做精，尺寸更大，缺陷更少，持续满足快速增长的下游应用端的需求。公司在知识产权及技术积累、承担的重大科研及产业化能力、产品及市场导入等方面都保持领先的竞争优势。自设立以来,公司获得了多项国家级和省级荣誉,包括国家科学技术进步一等奖，2021公司获得了包括工信部“第六批制造业单项冠军名单”、工信部专精特新“小巨人”企业、山东省新材料领军企业50强等重大奖项。未来，公司将始终以客户为中心,不断加大研发投入、强化自主创新、加快产品迭代，致力于成为国际宽禁带半导体行业的领军企业。感谢您的关注！