来源 :DoNews2025-03-05
山东天岳先进科技股份有限公司于2025年3月4日公布了其发明专利，涉及一种面内光程差小且均匀的SiC晶体及SiC衬底。该专利申请时间为2024年11月19日，旨在提升晶体生长技术，优化半导体材料性能。
关键点
-专利名称：一种面内光程差小且均匀的SiC晶体及SiC衬底
-专利号：CN202411657189.1
-公布日期：2025年3月4日
-申请人：山东天岳先进科技股份有限公司
-发明人：张九阳、高超、张红岩等
-地址：山东省济南市槐荫区天岳南路99号
-专利类型：发明专利
-关键技术分类：晶体生长（C30B29/36）