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东微半导(688261)内幕信息消息披露
 
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东微半导:Si2CMOSFET器件具有独创的器件结构与优化的制造工艺,拥有极好的栅氧可靠性与高栅源耐压

http://www.chaguwang.cn  2023-04-24  东微半导内幕信息

来源 :上证e互动2023-04-24

  东微半导(688261)你好,公司发明的硅方碳与碳化硅相比,性能或者价格成本上有优势吗?

  尊敬的投资者您好!Si2CMOSFET器件具有独创的器件结构与优化的制造工艺,拥有极好的栅氧可靠性与高栅源耐压,同时具有极低的反向恢复时间和反向恢复电荷,易于应用,适用于图腾柱无桥PFC、H桥逆变等拓扑结构,可以在新能源汽车车载充电机、储能逆变器、高效率通信电源、高效率服务器电源等多种应用场景替换采用传统技术路线的SiCMOSFET,性价比高。感谢您对公司的关注!

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