来源 :上证e互动2023-05-08
东微半导(688261)董秘，您好，请问新的硅方碳器件相对于贵司以前的TGBT+SiCantiparellediode器件有什么优势？
尊敬的投资者您好!公司基于自主专利技术开发出的Si2CMOSFET器件具有独创的器件结构与优化的制造工艺，拥有极好的栅氧可靠性与高栅源耐压，同时具有极低的反向恢复时间和反向恢复电荷，易于应用，适用于图腾柱无桥PFC、H桥逆变等拓扑结构，可以在新能源汽车车载充电机、储能逆变器、高效率通信电源、高效率服务器电源等多种场景应用。感谢您对公司的关注！