东微半导(688261.SH)：公司SiC器件包括SiC二极管、SiC MOSFET、Si2C MOSFET等器件技术

　　5月12日东微半导(688261.SH)于2023年5月12日10:00-11:00召开2022年年度业绩说明会，问答环节中，就“请详细介绍下公司的碳化硅及硅方碳相关技术。”，公司回复称，公司的SiC器件包括SiC二极管、SiC MOSFET、Si2C MOSFET等器件技术。其中，SiC二极管、SiC MOSFET全部使用了SiC衬底，充分利用SiC宽禁带材料的耐高压和耐高温特性。Si2C MOSFET则部分使用了SiC衬底，减少了SiC材料的用量。Si2C MOSFET器件具有独创的器件结构与优化的制造工艺，克服了传统SiC MOSFET成本高和Vth飘移的缺点，拥有极好的栅氧可靠性与高栅源耐压，同时具有极低的反向恢复时间和反向恢复电荷，易于应用，适用于图腾柱无桥PFC、H桥逆变等拓扑结构，可以在新能源汽车车载充电机、储能逆变器、高效率通信电源、高效率服务器电源等多种应用场景替换采用传统技术路线的SiCMOSFET，性价比高，市场前景广阔。