国芯科技：明年进行第三代更高性能RAID芯片开发

　　

　　集微网消息，近日，国芯科技在接受机构调研时表示，公司正在基于自主高性能RISC-V CPU研制开发第二代更高性能的RAID芯片，目前各项工作进展顺利，争取今年年底流片，未来有望达到国际主流RAID芯片的性能。明年公司规划进行第三代更高性能RAID芯片的开发。RAID芯片是服务器中广泛应用的一个重要芯片产品，长期以来被国外公司垄断，急需实现国产化替代。

　　同时，国芯科技已与香港应科院签署了合作备忘录及项目研发支持协议书，双方将建立“香港应科院-苏州国芯新型AI芯片联合研究实验室”。此外，国芯科技将对“Heterogenous AI Accelerator Platform”（异构AI加速器平台）项目进行投资，该项目旨在合作研发下一代AI芯片以及神经网络处理器等产品，该技术将用于国芯科技的汽车电子、工业控制和机器人应用领域的AI芯片开发。目前，国芯科技已与香港应科院开展实质性的合作，香港应科院已将NPU相关技术转移至公司，未来双方将进一步开展新一代NPU的研发合作。

　　在汽车芯片需求方面，国芯科技称，今年汽车电子领域整体面临去库存的压力，汽车电子芯片总体需求相对不足，对公司短期业绩造成一定的压力，但汽车电子芯片国产化替代总的趋势不变，汽车产业向电动化、智能化和网联化的转变愈发强烈，其中新能源车对于芯片的需求会更加旺盛。

　　国芯科技进一步表示，公司汽车电子芯片已在客户中实现78个定点开发项目的design in，其中开始进入量产的有25个，主要应用领域包括车身和网关控制、动力总成控制、域控制、线控底盘、车联网安全、安全气囊、新能源电池管理等。国芯科技已经在12条汽车电子产品线中布局相关芯片的开发，未来将进一步扩展应用领域，希望能以更为丰富的产品群服务好客户，实现国产化替代。