敏芯股份申请压阻式压力传感器及其制备方法专利，制作工序简单

　　据国家知识产权局公告，苏州敏芯微电子技术股份有限公司申请一项名为“压阻式压力传感器及其制备方法“，公开号CN117263139A，申请日期为2023年11月。

　　专利摘要显示，本申请提供一种压阻式压力传感器及其制备方法。压阻式压力传感器，包括：第一衬底；压敏感应组件，压敏感应组件包括压敏电阻；第一介质层，位于压敏感应组件远离第一衬底的一侧，第一介质层内设有空腔，空腔贯穿第一介质层，沿第一衬底的厚度方向，空腔的正投影覆盖压敏电阻的正投影；第二衬底，第二衬底朝向第一衬底的一侧设有用于引线键合的多个引线键合区，引线键合区与压敏电阻电连接；第一介质层与第二衬底朝向第一衬底的一侧贴合；第一衬底的正投影位于第二衬底的正投影内，引线键合区位于第一衬底的正投影之外。本申请通过在第一介质层内形成空腔，空腔的高度一致性好，限位一致性好，制作工序简单。