甬矽电子获得实用新型专利授权：“芯片空腔封装结构”

　　证券之星消息，根据天眼查APP数据显示甬矽电子（688362）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“芯片空腔封装结构”，专利申请号为CN202521108455.5，授权日为2026年5月26日。 专利摘要：本申请提供的一种芯片空腔封装结构，涉及半导体技术领域。该芯片空腔封装结构包括基板、芯片、膜层和塑封体。芯片贴装至基板上，芯片和基板电连接。膜层覆盖芯片，且膜层将芯片和基板之间的间隙形成密封空腔。塑封体包覆芯片和膜层；塑封体上开设有凹槽，凹槽内设有金属柱。金属柱形成的垂直隔离结构对垂直传播的声波具有优异的阻断效果，可防止芯片之间的信号干扰，且具有良好的散热特性。 今年以来甬矽电子新获得专利授权19个，较去年同期减少了24%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了2.92亿元，同比增34.55%。 通过天眼查大数据分析，甬矽电子（宁波）股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目39次；财产线索方面有商标信息165条，专利信息456条，著作权信息15条；此外企业还拥有行政许可22个。 数据来源：天眼查APP 以上内容为证券之星据公开信息整理，不构成投资建议。