帝奥微申请超低漏电ESD保护电路专利，实现了超低漏电要求

　　2024年1月6日消息，据国家知识产权局公告，江苏帝奥微电子股份有限公司申请一项名为“一种超低漏电ESD保护电路“，公开号CN117353263A，申请日期为2023年12月。

　　专利摘要显示，本发明公开了一种超低漏电ESD保护电路，m个抑制对地寄生三极管的隔离N+/P阱ESD二极管D1相互串联构成抑制对地寄生三极管的隔离N+/P阱ESD二极管组，抑制对地寄生三极管的隔离N+/P阱ESD二极管组的阳极与普通ESD二极管D0的阴极连接，普通ESD二极管D0的阳极接地，抑制对地寄生三极管的隔离N+/P阱ESD二极管组的阴极连接低功耗芯片输入管脚，n个抑制对地寄生三极管的隔离P+/N阱ESD二极管D2相互串联构成抑制对地寄生三极管的隔离P+/N阱ESD二极管组，抑制对地寄生三极管的隔离P+/N阱ESD二极管组的阳极连接低功耗芯片输入管脚，抑制对地寄生三极管的隔离P+/N阱ESD二极管组的阴极连接电源VDD。本发明无额外功耗，且实现了超低漏电要求。