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芯联集成(688469)内幕信息消息披露
 
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芯联集成:公司SiCMOSFET系列工艺平台方面实现了650V到2000V系列的全面布局

http://www.chaguwang.cn  2025-03-17  芯联集成内幕信息

来源 :上证e互动2025-03-17

  芯联集成(688469)尊敬的董秘您好:电动汽车向800伏1000伏高压平台发展技术趋势明显:充电更快,动力更强能源效率更高,相应零部件耐高压性能要求大幅提高,碳化硅产品替代硅IGBT成为高压平台电控核心零部件需求暴增,贵公司作为碳化硅行业龙头,请问贵公司的产品能否满足800伏1000伏高压平台性能要求,有没有为比亚迪汽车或其他新能源汽车厂家供货!公司8英寸碳化硅产线产能是多少?谢谢

  尊敬的投资者您好,公司SiCMOSFET系列工艺平台方面实现了650V到2000V系列的全面布局,其中1200V车载主驱逆变器实现量产,是国内最早能够提供车载主驱逆变器SiCMOSFET晶圆制造的企业,技术处于国际领先水平之列;1700V的平面SiCMOSFET也处于国际领先水平,可用于新能源光伏逆变器系统。在车载SiCMOSFET领域,公司持续拓展车载领域和工控领域国内外OEM和Tier1客户。目前已经覆盖大部分新能源汽车主流品牌。在产能方面,公司已拥有一条8英寸SiCMOSFET晶圆试验线和一条月产8000片的6英寸SiCMOSFET晶圆量产线。公司将结合市场需求、相关技术成熟情况等因素,逐步拓展8英寸产线的产能。感谢您的关注。

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