芯联集成荣膺“年度AI技术突破奖”

　　ABSTRACT

　　日前，芯联集成荣膺2026 IC风云榜“年度AI技术突破奖”。

　　芯联集成凭借其在碳化硅制造技术领域取得的重大突破，以及对AI数据中心电源体系带来的技术创新，荣获“年度AI技术突破奖”。

　　该奖项由半导体投资联盟和集成电路投资创新联盟主办、ICT知识产权发展联盟协办，爱集微承办，自2019年起每年举办，旨在表彰为半导体行业提供高品质、创新性解决方案的企业。

　　此次获奖的核心基础，源于芯联集成在面向AI数据中心应用的宽禁带半导体制造领域实现的关键技术突破。2025年11月，公司推出达到国际先进水平的“碳化硅G2.0技术平台”。该平台采用先进的8英寸制造技术，通过器件结构与工艺制程的协同优化，在效率、功率密度与可靠性等关键指标上实现系统性提升，全面覆盖电驱与电源两大核心应用方向。

　　针对AI数据中心这一高增长、高可靠性要求的核心应用场景，芯联集成对碳化硅G2.0平台进行了深度定向优化。通过对器件寄生电容的精细化设计，以及封装层面的强化散热方案，该平台成功将开关损耗降低约30%，并在动态可靠性方面实现显著增强，使电源转换效率与系统功率密度同步提升，能够更好地满足SST、HVDC等AI数据中心关键电源架构需求。

　　芯联集成此次荣获“年度AI技术突破奖”，不仅体现了其在碳化硅制造技术上的领先实力，也彰显了中国半导体制造企业在AI基础设施关键环节加速迈向自主与国际先进水平的产业趋势。