南芯科技申请带隙基准电路专利，提高参考电压的精度

　　金融界2024年1月6日消息，据国家知识产权局公告，上海南芯半导体科技股份有限公司申请一项名为“带隙基准电路、芯片模组及电子设备”，公开号CN117348673A，申请日期为2023年11月。

　　专利摘要显示，本申请提供一种带隙基准电路、芯片模组及电子设备。该带隙基准电路包括：第一级放大单元、第二级放大单元和第三级放大单元。通过第一级放大单元、第二级放大单元和第三级放大单元可以构成完整的负反馈环路。采用第一三极管和第二三极管作为第一级放大单元的差分输入对，使带隙基准电路不用单独设置运算放大器，简化带隙基准电路的电路结构，以及能够避免因设置运算放大器而引入运算放大器的失调电压对参考电压精度的影响。如此，能够提高参考电压的精度。此外，在第三级放大单元中，通过第一电阻与P型三极管电连接，使负温度系数电压和正温度系数电压能够结合。这样，能够得到零温度系数的参考电压，使参考电压不随温度的变化而变化。