佰维存储：拟定增募资建设的晶圆级先进封测项目可构建HBM实现的封装技术基础

　　佰维存储近日在接受调研时表示，公司拟定增募资建设的晶圆级先进封测项目可以构建HBM实现的封装技术基础。公司掌握16层叠Die、30~40μm超薄Die、多芯片异构集成等先进封装工艺，为NAND Flash芯片、DRAM芯片和SiP封装芯片的大规模量产提供支持，使得存储芯片在体积、散热、电磁兼容性、可靠性、存储容量等方面拥有较强的市场竞争力。