佰维存储：成功研发并发布支持CXL2.0规范的CXL DRAM内存扩展模块，主控芯片研发进展顺利

　　1月22日消息，佰维存储披露投资者关系活动记录表显示，公司近期成功研发并发布了支持CXL2.0规范的CXL DRAM内存扩展模块，兼具支持内存容量和带宽扩展、内存池化共享、高带宽、低延迟、高可靠性等特点，赋能AI高性能计算。在IC芯片方面，公司第一颗主控芯片研发进展顺利，已经回片点亮，正在进行量产准备。公司智能穿戴存储产品已进入了Google、小天才等知名品牌的智能穿戴设备供应体系。公司拟定增募资建设的晶圆级先进封测项目可以构建HBM实现的封装技术基础，具备存储器和逻辑IC封测能力。公司在北美、拉美、印度、欧洲、中国台湾地区等地发展并打造了强有力的本地化服务、生产交付和市场营销团队。公司掌握16层叠Die、30~40μm超薄Die、多芯片异构集成等先进封装工艺，为NAND Flash芯片、DRAM芯片和SiP封装芯片的大规模量产提供支持。公司存储器产品应用领域覆盖智能手机、平板电脑、智能穿戴、机顶盒、智能汽车、工控应用、PC、工业互联网等主流应用场景。