佰维存储申请闪存阈值电压分布图绘制专利，使得绘制结果更加准确

　　据国家知识产权局公告，深圳佰维存储科技股份有限公司申请一项名为“一种闪存阈值电压分布图绘制方法、装置、设备及介质“，公开号CN117765121A，申请日期为2023年12月。

　　专利摘要显示，本发明提供一种闪存阈值电压分布图绘制方法、装置、设备及介质，方法包括：根据闪存页的类型确定闪存页的单元格对应的读电压，根据读电压确定单元格阈值电压和单元格阈值电压对应的编码；从闪存页中读取原始存储数据并存储到对应的存储文件中，根据编码依次对存储文件中存储的原始存储数据进行解析，得到所有单元格对应的编程态；根据编程态计算每个单元格的默认读电压位置，根据默认读电压位置确定阈值读电压；统计每个阈值读电压对应的单元格数量，根据阈值电压和单元格数量绘制阈值电压分布图。本发明可以将闪存页的原始存储数据转换成单元格的编码态，根据编码态确定阈值电压，从而完成阈值电压分布图的绘制，使得绘制结果更加准确。