芯碁微装：公司直写光刻设备在满足较高的加工精细度的同时，能实现版图设计灵活、无需掩膜版直接曝光等优点

　　芯碁微装(688630)贵司的直写设备可以用于薄膜铌酸锂芯片的生产吗？主要是哪个环节？

　　尊敬的投资者您好！铌酸锂材料通过新型微纳工艺，在硅基衬底上蒸镀二氧化硅（SiO2）层，将铌酸锂衬底高温键合构造出解理面，最后剥离出铌酸锂薄膜。铌酸锂晶体具有光电效应多、性能可调控性强、物理化学性能稳定、光透过范围宽等特点，该工艺下制备出的薄膜铌酸锂调制器芯片突破原有瓶颈，具有高性能、低成本、小尺寸、可批量化生产且与CMOS工艺兼容等优点，是未来高速光互连极具竞争力的解决方案。薄膜铌酸锂调制器芯片的关键制备技术主要集中于铌酸锂薄膜的图形化，公司在微纳直写光刻核心技术领域具有丰富的技术积累，作为光刻技术领域里拥有关键核心技术的直写光刻设备的国产供应商，公司直写光刻设备在满足较高的加工精细度的同时，能实现版图设计灵活、无需掩膜版直接曝光等优点，支持铌酸锂光调制器芯片的图形化曝光制程，目前已有机台发至客户端，感谢您的关注。