银河微电获得实用新型专利授权：“一种用于MOS管的双铝带焊接机构及其MOS芯片框架”

　　银河微电新获得一项实用新型专利授权，专利名为"一种用于MOS管的双铝带焊接机构及其MOS芯片框架"，专利申请号为CN202323396247.3，授权日为2024年11月1日。

　　专利摘要：本实用新型涉及MOS芯片生产领域，具体涉及一种用于MOS管的双铝带焊接机构及其MOS芯片框架。本实用新型实施例提供了一种用于MOS管焊接的双铝带焊接机构，包括：基岛单元，所述基岛单元上具有两装载工位，以装载两个MOS芯片；以及所述装载工位上具有G区管脚，所述G区管脚的截面为三角形。通过铝带将S区管脚与MOS管连接，相比铜线，提高产品的可靠性，在制程方面UPH也可以提到大比例提高，降低生产成本。通过将G区管脚设计为三角形，从而给S区管脚进行空间让位，使得铝带焊接时两侧的压爪能够压住多出的管脚，进而保证压合。增强了焊接强度，避免产品潜在的虚焊隐患，同时避免劈刀装压爪，减少耗材的消耗，降低生产成本。