胜科纳米：公司通过ChI-Scan与T-EBSD的组合方法，有效解决了半导体失效分析中如何精确识别晶体结构相似材料的难题

　　胜科纳米(688757)有关注到贵司新闻6项学术成果亮相IPFA2025，会上贵司介绍了胜科纳米团队在电子背散射衍射（EBSD）技术上的创新成果，通过创新性地结合ChI-Scan与T-EBSD技术，有效解决了半导体失效分析中相似晶体结构的分析难题，为先进封装工艺的可靠性评估和失效分析提供了应用解决方案。能不能介绍下此项新技术未来运用哪些方面？

　　尊敬的投资者您好，感谢您对公司的关注！公司在电子背散射衍射（EBSD）技术上的创新成果，即通过ChI-Scan与T-EBSD的组合方法，有效解决了半导体失效分析中如何精确识别晶体结构相似材料的难题。常规的EBSD分析方法已经得到广泛的应用，对大部分的样品分析可以满足要求，但对有些样品分析结果会有不确定性，从而需要提升和获得精确的分析结果，而通过ChI-Scan技术将T-EBSD的高空间分辨率与能量色散X射线光谱（EDS）的元素成分数据相结合，能成功克服这些识别上的不确定性。这项增强技术可以提供准确的物相识别，如晶粒取向和结构等详细的晶体学信息、区分复杂多层体系中的材料，其功能对于半导体行业先进封装的可靠性、全面的失效分析、薄膜与界面的表征等任何需要进行清晰明确、高分辨率的微观结构和晶体学分析的应用领域至关重要，为研究失效机理和提高下一代半导体器件的可靠性提供了基础性的支持。