艾为电子申请新专利，提高制备的栅极氧化层的质量

　　金融界2024年1月6日消息，据国家知识产权局公告，上海艾为电子技术股份有限公司申请一项名为“栅极氧化层的制备方法、系统、电子器件及电子设备“，公开号CN117352380A，申请日期为2023年10月。

　　专利摘要显示，本申请实施例提供了一种栅极氧化层的制备方法、系统、电子器件及电子设备。该栅极氧化层的制备方法包括：将硅层开设的至少部分沟道的沟道壁处的硅转化出第一预定厚度的硅化合物，其中，所述第一预定厚度D1满足：D1≥35nm；清除所述硅化合物以将其下方的硅层露出，并于该露出的硅层上制备所述栅极氧化层。本实施例能够提高制备的栅极氧化层的质量，提升栅极氧化层的电性能，进而提高电子器件的可靠性。