艾为电子取得端口静电释放保护电路专利，避免NMOS管在工作时被烧毁的风险

　　2024年3月25日消息，据国家知识产权局公告，上海艾为电子技术股份有限公司取得一项名为“一种端口静电释放保护电路“，授权公告号CN109449156B，申请日期为2018年12月。

　　专利摘要显示，本发明提供一种端口静电释放保护电路，包括低压选择电路和NMOS晶体管；低压选择电路的一个输入端和NMOS晶体管的漏极，均与待保护端口相连；低压选择电路的另一输入端和NMOS晶体管的源极均接地；低压选择电路的输出端与NMOS晶体管的栅极和衬底相连；并且，低压选择电路输出端输出的信号，为低压选择电路的两个输入端接收的信号中电位较低的信号。本发明通过增加低压选择电路，保证NMOS管的衬底电位始终是待保护端口和地之间的较低电位，当待保护端口接收到负电压信号时，NMOS晶体管的衬底与漏极之间的寄生二极管不会正向导通，避免NMOS管在工作时被烧毁的风险。