尽管我们在芯片上主要依赖进口，但幸好还有中芯国际、华虹半导体等晶圆制造厂，能够生产市场上的主流芯片。尤其是中芯做到了全球第五，产能还在不断扩大。
中芯国际目前是大陆技术最先进的晶圆厂，14nm工艺的良率已追平台积电，还在推进N+1、N+2等工艺。近日老牌芯片巨头英特尔宣布消息，中芯国际希望更大了。
芯片巨头正式宣布
近年来，我们可以看到，台积电、三星的芯片工艺进步很快，都已进入到10nm以下，实现了7nm、5nm工艺的量产，3nm也将于近期开始量产，2nm也提上了日程。
由此，不少人认为，中芯国际在先进制程上的差距越来越大了，事实并非如此。
台积电在芯片制造技术上一向领先，一直在按照摩尔定律每两年更新一个世代的步伐前进。正如梁孟松说的芯片制造需一步一个脚印，没有弯道超车和跳跃式前进。
然而，大家有没有发现，三星近年来芯片工艺进步很快，几乎追上了台积电的节奏，甚至在3nm制程上采用了新的GAA工艺，并且宣布的量产时间还早于台积电。
还有英特尔这个老牌芯片巨头，给大家印象最深刻的就是“挤牙膏”，重点是一直没有突破7nm工艺。但最近却突然发生改变，一下宣布了一系列的先进制程步骤。
一直在制程上落后的英特尔，还将研发18A即1.8nm工艺，要跟台积电一较高下。
目前制程真实现状
为什么三星、英特尔突然在芯片制造技术上就可以跟台积电竞争了呢？其实，这要说到现在的制程并非按真正的栅极宽度来的。也就是说，5nm并非真的就是5nm。
严格来说，芯片工艺几nm，应该是从源极到漏极是几nm，也就是按栅极的宽度。
但实际上，台积电、三星目前所说的5nm、3nm等，都是自己的命名，他们都将制程数字搞得小了一点，但实际并未达到那个程度，而英特尔最近揭开了这个现状。
英特尔也修改了原来的制程命名，因为对比台积电、三星，相同的芯片工艺，英特尔的晶圆管密度显然高了许多，因此原来的10nm改为7nm，密度还能略高一些。
比如7nm，台积电每平方毫米为0.97亿个晶体管，三星只有0.95亿个，而英特尔却高达1.8亿个。台积电的5 nm工艺也才达到1.73亿个，三星才只有1.27亿个。
因此，英特尔将原来的7 nm工艺改为了Intel 4，对应台积电、三星的4nm工艺。
中芯国际希望更大
由此可以看出，相比之下，英特尔之前的工艺命名是有些吃亏的，现在也学聪明了，不再严格按照对应栅极宽度来命名，跟台积电、三星一样开始自己进行命名了。
对于这个情况，高通之前就曾表示，别太相信晶圆代工厂的工艺。其实，台积电的一位技术负责人在2019年时也曾提到，几nm工艺已经与栅极宽度不太相关了。
照这样来说的话，我们中芯国际跟台积电、三星等技术相差的也没实际那么多了。
现在，中芯国际明面上说是量产了14nm、12 nm，还有N+1工艺也量产了，还在推进N+2工艺。N+1、N+2其实是中芯内部的代号，并没有直接表明是多少nm。
但按晶圆管密度来对比的话，N+1基本相当于台积电10 nm节点，而N+2就相当于台积电的7nm了。这也正好对应了梁孟松说的，已经完成了28-7nm技术开发。
由于受到限制，目前不能进行10nm以下，但技术水平上已经可以达到7nm了。
并且梁孟松还表示5nm和3nm最关键、最艰巨的8大项技术已经有序展开，只待EUV光刻机到来。试想下，如果不是限制了EUV，中芯的制造技术可能会更快。
因此，中芯的高端制程希望还很大。不过，鉴于当前的形势，还是要低调前进。为此，中芯大举扩产28nm成熟制程，抢占份额增强自身实力，为未来发展奠定基础！